最新上架
更多- 在性能相當的情況下，中科芯CKS32L052K6T6比STM32L052K6T6具有更高的性價比
- 君耀2RM600L-8-TR高性能氣體放電管守護電路安全
- 國巨薄膜精密電阻 RT0805BR 系列：高性能電路設計的理想選擇
- STM32F407VGT6的國產替代：中科芯CKS32F407IGT6軟硬兼容STM32F407VGT6
- 基美鉭電容T494B、T494C、T494D和T494X系列：高性能低ESR解決方案
- 中科芯CKS32F072CBT6與STM32F072CBT6在性能參數、封裝與尺寸等方面的比較
- 光頡 TFAN 系列薄膜排電阻：以先進薄膜技術賦能高精度電路設計
- 新潔能NCE3407高性能P溝道增強型功率MOSFET適用于PWM等多種應用場景
- 國巨PT0603FR-07、PT0603FR-7T、PT0603FR-7W、PT0603JR-07、PT0603JR-7T、PT0603JR-7W、PT0603-R-07系列厚膜電流感測貼片電阻介紹
- 國產高性能 MCU：中科芯 CKS32F031系列替代 STM32F031與 GD32F031
NCE3008M新潔能增強型功率MOSFET：電池保護與開關應用的理想選擇
在現代電子設備中，MOS 管作為核心的功率半導體器件，其性能直接影響到電路的效率與穩定性。新潔能（NCE）推出的NCE3008M增強型功率MOSFET，憑借其先進的溝槽技術、出色的導通電阻（RDS(ON)）、低柵極電荷以及低至 2.5V 的柵極電壓工作能力，成為眾多電池保護與開關應用的理想選擇。
NCE3008M性能特點：
1、先進的溝槽技術與卓越性能
NCE3008M 采用先進的溝槽技術，通過在半導體材料中形成深槽結構，顯著提高了芯片的抗干擾能力和穩定性。這種技術使得器件在高功率和電流處理能力方面表現出色，同時降低了導通電阻和柵極電荷，從而提高了整體效率。
2、優異的電氣性能
在關鍵參數方面，NCE3008M 的漏源電壓（VDS）為 30V，連續漏極電流（ID）為 8A。其導通電阻（RDS(ON)）在不同柵極電壓下表現出色：在 VGS = 10V 時，RDS(ON) < 22.5mΩ；在 VGS = 4.5V 時，RDS(ON) < 32mΩ。這種低導通電阻特性使得 NCE3008M 在高效率電源管理應用中表現出色。
3、高功率與電流處理能力
NCE3008M 具備高功率和電流處理能力，能夠滿足電池保護、DC/DC 轉換器等應用中對功率和電流的嚴格要求。其最大耗散功率（Pd）為 3.5W，能夠承受較高的功率負載，同時保持穩定的性能表現。
4、環保與封裝優勢
NCE3008M 符合無鉛產品要求，采用環保材料制造，符合現代電子設備對環保的嚴格要求。其表面貼裝封裝（SOT-89-3），具有體積小、散熱性能好、易于安裝等特點，適合緊湊型設計，能夠有效節省電路板空間。
NCE3008M應用場景:
- 電池開關：在電池管理系統中，NCE3008M 可以實現高效的電池保護，防止過充、過放和短路等情況，延長電池壽命。
- DC/DC 轉換器：在電源轉換應用中，NCE3008M 的低導通電阻和快速開關特性能夠顯著提高轉換效率，降低能量損耗。
NCE3008M采購信息：
- 封裝：SOT-89-3L
- 包裝方式：Ø180mm編帶包裝
- 編帶寬度：12mm
- 最小包裝量：1k/盤
新潔能 NCE3008M MOS 管憑借其先進的溝槽技術、低導通電阻、低柵極電荷以及低柵極電壓工作能力，成為電池保護和開關應用中的理想選擇。其高功率和電流處理能力、環保特性以及緊湊的封裝形式，使其在現代電子設備中展現出卓越的性能和廣泛的應用前景。
南山電子是新潔能公司授權代理商，歡迎咨詢選購NCE3008M MOS管。如需產品詳細的規格書，請聯系網站客服。
