最新上架
更多- 君耀TVS瞬態電壓抑制二極管SMDJ系列是高性能電路保護的可靠選擇
- 新潔能NCEP1520K:為電源領域帶來高效與可靠的解決方案
- 星海BZX85C/DO-41系列穩壓二極管--智能家居背后的“英雄”
- 國巨RE0603系列精密電阻:高精度低溫漂的可靠性解決方案
- 國產MCU的佼佼者——中科芯CKS32K144、CKS32K146、CKS32K148
- 基美車規貼片電容C0805C系列在極端溫度下表現如何?
- 宏齊光3020系列LED在儀器儀表領域的卓越應用
- 為什么選擇檳城光伏浪涌保護系列器件(SPD)?
- 奧倫德M30XX系列可控硅光耦:點亮智能控制的未來
- 中科芯三款高性能DC/DC轉換器:CKSP5412-Q、CKSP5413-Q、CKSP5423-Q
新潔能NCE60P50K:高性能P溝道增強型功率MOSFET
在現代電子設備中,功率MOSFET作為關鍵的功率開關元件,廣泛應用于各種電源管理、電機驅動和功率轉換場景。新潔能NCE60P50K :高性能P溝道增強型功率MOSFET,憑借其卓越的性能和可靠性,成為高電流負載應用的理想選擇。
NCE60P50K是一款采用先進溝槽技術設計的P溝道增強型功率MOSFET。該器件通過優化的單元設計,實現了極低的導通電阻(RDS(ON))和低柵極電荷,從而在高電流負載應用中表現出色。其主要特點包括:
高耐壓:漏源電壓(VDS)高達-60V,能夠承受高電壓沖擊。
大電流:連續漏極電流(ID)可達-50A,滿足高功率應用需求。
低導通電阻:在VGS=-10V時,RDS(ON) < 28mΩ,顯著降低功耗。
高密度單元設計:實現超低RDS(ON),提高器件效率。
全面的雪崩電壓和電流特性:確保在過載和短路情況下具有良好的穩定性。
高能量吸收能力:單脈沖雪崩能量(EAS)高達722mJ,增強器件的魯棒性。
優異的散熱性能:采用TO-252-2L封裝,有效提高散熱效率。
NCE60P50K適用于多種高電流負載應用,包括但不限于:
負載開關:在電源管理系統中,作為高效的負載開關,實現快速、穩定的電流切換。
電機驅動:在電機控制應用中,提供高效率的功率轉換,降低能耗。
電源轉換:在DC-DC轉換器中,作為功率開關,提高轉換效率和可靠性。
電氣特性
NCE60P50K的電氣特性如下表所示
參數 | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
---|---|---|---|---|---|---|
漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250μA | -60 | - | - | V |
零柵極電壓漏極電流 | IDSS | VDS=-60V, VGS=0V | - | - | -1 | μA |
柵極-體漏漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | -2.0 | -2.6 | -3.5 | V |
漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-20A | - | 23 | 28 | mΩ |
前向跨導 | gFS | VDS=-10V, ID=-20A | - | 25 | - | S |
NCE60P50K的動態特性如下表所示
參數 | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
---|---|---|---|---|---|---|
輸入電容 | Clss | - | 6460 | - | - | pF |
輸出電容 | Coss | - | 719 | - | - | pF |
反向轉移電容 | Crss | VDS=-25V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 535 | - | pF |
開啟延遲時間 | td(on) | - | 15 | - | - | nS |
開啟上升時間 | tr | - | 17 | - | - | nS |
關閉延遲時間 | td(off) | - | 40 | - | - | nS |
關閉下降時間 | tf | VDD=-30V, RL=1.5Ω, VGS=-10V, RG=3Ω | - | 45 | - | nS |
總柵極電荷 | Qg | - | 75 | - | - | nC |
柵極-源極電荷 | Qgs | - | 16 | - | - | nC |
柵極-漏極電荷 | Qgd | VDS=-30V, ID=-20A, VGS=-10V | - | 19 | - | nC |
在使用NCE60P50K時,需要注意以下幾點
可靠性:該產品不適用于對可靠性要求極高的應用,如生命支持系統、飛機控制系統等。
額定值:確保在使用過程中不超過器件的額定值,包括最大電壓、電流和功率。
獨立測試:在將器件集成到最終產品中之前,應進行獨立測試,以驗證其性能和功能。
安全措施:在設計設備時,應采取適當的安全措施,如保護電路和冗余設計,以防止可能的事故。
新潔能致力于提供高質量、高可靠性的功率MOSFET產品。NCE60P50K憑借其卓越的性能和可靠性,成為高電流負載應用的理想選擇。