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新潔能NCE60P50K：高性能P溝道增強型功率MOSFET
在現代電子設備中，功率MOSFET作為關鍵的功率開關元件，廣泛應用于各種電源管理、電機驅動和功率轉換場景。新潔能NCE60P50K ：高性能P溝道增強型功率MOSFET，憑借其卓越的性能和可靠性，成為高電流負載應用的理想選擇。
NCE60P50K是一款采用先進溝槽技術設計的P溝道增強型功率MOSFET。該器件通過優化的單元設計，實現了極低的導通電阻（RDS(ON)）和低柵極電荷，從而在高電流負載應用中表現出色。其主要特點包括：
高耐壓：漏源電壓（VDS）高達-60V，能夠承受高電壓沖擊。
大電流：連續漏極電流（ID）可達-50A，滿足高功率應用需求。
低導通電阻：在VGS=-10V時，RDS(ON) < 28mΩ，顯著降低功耗。
高密度單元設計：實現超低RDS(ON)，提高器件效率。
全面的雪崩電壓和電流特性：確保在過載和短路情況下具有良好的穩定性。
高能量吸收能力：單脈沖雪崩能量（EAS）高達722mJ，增強器件的魯棒性。
優異的散熱性能：采用TO-252-2L封裝，有效提高散熱效率。
NCE60P50K適用于多種高電流負載應用，包括但不限于：
負載開關：在電源管理系統中，作為高效的負載開關，實現快速、穩定的電流切換。
電機驅動：在電機控制應用中，提供高效率的功率轉換，降低能耗。
電源轉換：在DC-DC轉換器中，作為功率開關，提高轉換效率和可靠性。
電氣特性
NCE60P50K的電氣特性如下表所示
| 參數 | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250μA | -60 | - | - | V |
| 零柵極電壓漏極電流 | IDSS | VDS=-60V, VGS=0V | - | - | -1 | μA |
| 柵極-體漏漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | -2.0 | -2.6 | -3.5 | V |
| 漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-20A | - | 23 | 28 | mΩ |
| 前向跨導 | gFS | VDS=-10V, ID=-20A | - | 25 | - | S |
NCE60P50K的動態特性如下表所示
| 參數 | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 輸入電容 | Clss | - | 6460 | - | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | 719 | - | - | pF |
| 反向轉移電容 | Crss | VDS=-25V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 535 | - | pF |
| 開啟延遲時間 | td(on) | - | 15 | - | - | nS |
| 開啟上升時間 | tr | - | 17 | - | - | nS |
| 關閉延遲時間 | td(off) | - | 40 | - | - | nS |
| 關閉下降時間 | tf | VDD=-30V, RL=1.5Ω, VGS=-10V, RG=3Ω | - | 45 | - | nS |
| 總柵極電荷 | Qg | - | 75 | - | - | nC |
| 柵極-源極電荷 | Qgs | - | 16 | - | - | nC |
| 柵極-漏極電荷 | Qgd | VDS=-30V, ID=-20A, VGS=-10V | - | 19 | - | nC |
在使用NCE60P50K時，需要注意以下幾點
可靠性：該產品不適用于對可靠性要求極高的應用，如生命支持系統、飛機控制系統等。
額定值：確保在使用過程中不超過器件的額定值，包括最大電壓、電流和功率。
獨立測試：在將器件集成到最終產品中之前，應進行獨立測試，以驗證其性能和功能。
安全措施：在設計設備時，應采取適當的安全措施，如保護電路和冗余設計，以防止可能的事故。
新潔能致力于提供高質量、高可靠性的功率MOSFET產品。NCE60P50K憑借其卓越的性能和可靠性，成為高電流負載應用的理想選擇。
