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大普雙同軸隔離器DP0469S、DP0470S、DP0531S、DP0532S--電信通訊中的關鍵器件
大普通信作為國內領先的射頻器件供應商,其雙同軸隔離器產品線在行業內享有盛譽。這類器件憑借創新的設計和精湛的工藝,在5G通信、衛星導航、雷達系統等高端應用領域展現出卓越性能。大普雙同軸隔離器DP0469S、DP0470S、DP0531S、DP0532S,更是成為了電信通訊中的關鍵器件。
大普通信雙同軸隔離器的核心技術突破體現在其獨特的磁路設計上。工程師團隊通過優化鐵氧體材料配方和磁場分布,成功實現了更寬頻帶內的高隔離度。典型產品在2-18GHz頻段內可提供超過30dB的隔離性能,同時保持低于0.4dB的插入損耗,這一指標已達到國際先進水平。針對不同應用場景,還開發了系列化產品。緊湊型封裝適合空間受限的機載設備,其直徑可控制在16mm以內;高功率版本采用液體冷卻技術,連續波處理能力達500W以上,滿足雷達發射機的苛刻要求。特別值得一提的是其軍品級產品,通過嚴格的GJB150環境試驗,在振動、沖擊等惡劣條件下仍能保持性能穩定。
DP0469S & DP0470S:高性能寬帶隔離器
頻率范圍:2-18 GHz
隔離度(Isolation):DP0469S≥30 dB(典型值)
DP0470S≥28 dB(典型值)
插入損耗(Insertion Loss):DP0469S≤0.4 dB
DP0470S≤0.35 dB
駐波比(VSWR):DP0469S≤1.2:1(全頻段)
DP0470S≤1.15:1(優化頻段)
功率容量:連續波(CW)5W
峰值功率(Pulse):50W(1%占空比)
接口類型:SMA(Female)
工作溫度:-40℃ ~ +85℃
尺寸:Φ16mm × 30mm(直徑×長度)
相比DP0469S,DP0470S駐波比更低,適合高精度測試系統
DP0531S & DP0532S:高功率軍用級隔離器
DP0531S(中高功率型,2-8GHz)
頻率范圍:2-8 GHz
隔離度(Isolation):≥25 dB
插入損耗(Insertion Loss):≤0.3 dB
駐波比(VSWR):≤1.25:1
功率容量:連續波(CW)50W
峰值功率(Pulse):500W(1%占空比)
接口類型:SMA或N型(可選)
工作溫度:-55℃ ~ +85℃(軍品級)
尺寸:Φ20mm × 35mm
特點:高功率設計,適用于雷達、電子戰等場景。
DP0532S(高功率型,8-18GHz)
頻率范圍:8-18 GHz
隔離度(Isolation):≥20 dB
插入損耗(Insertion Loss):≤0.5 dB
駐波比(VSWR):≤1.3:1
功率容量:連續波(CW)30W
峰值功率(Pulse):300W(1%占空比)
接口類型:SMA(Female)
工作溫度:-55℃ ~ +85℃(軍品級)
尺寸:Φ18mm × 32mm
特點:高頻段高功率支持,適用于Ka波段衛星通信、毫米波雷達。
在結構工藝方面,大普通信采用了精密數控加工的一體化金屬腔體,配合特殊的熱處理工藝,確保了器件在-55℃至+85℃寬溫范圍內的穩定性。其專利設計的漸變阻抗轉換結構有效降低了駐波比,實測VSWR在大多數頻點優于1.2:1,這對于高靈敏度接收系統尤為重要。在實際應用中,這些隔離器表現出色。某型號在5G基站功放保護電路中,成功將反射信號衰減35dB以上,顯著提高了系統可靠性;在衛星地面站使用時,其優異的溫度穩定性使系統在晝夜溫差大的環境下仍保持穩定工作。
大普通信堅持自主創新,其雙同軸隔離器已實現關鍵材料國產化,打破了國外廠商在高端市場的壟斷。未來,隨著6G研發的推進,公司正在開發毫米波頻段的新一代產品,預計將推動國內射頻器件技術邁上新臺階。