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NCE7560K:優(yōu)質(zhì)N溝道增強型功率MOSFET

發(fā)布時間:2025-05-23 品牌:新潔能(NCE) 瀏覽量:14

在現(xiàn)代電子設備的高效能轉(zhuǎn)換與控制領(lǐng)域,功率MOSFET扮演著至關(guān)重要的角色。無錫NCE功率半導體有限公司推出的NCE7560K:優(yōu)質(zhì)N溝道增強型功率MOSFET,憑借其卓越的性能與廣泛的應用適應性,成為了眾多工程師與設計師的首選元件之一。

 

 

NCE7560K采用先進的溝槽技術(shù)精心打造,旨在為各類應用提供極低的導通電阻(RDS(ON))與低柵極電荷,從而實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換與控制。其主要電氣參數(shù)表現(xiàn)卓越:漏源電壓(BVDSS)典型值高達84V,最大值為75V,確保了在較高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定工作;導通電阻(RDS(ON))在VGS=10V時,典型值僅為6.8mΩ,最大值不超過8.5mΩ,顯著降低了功率損耗;持續(xù)漏極電流(ID)可達60A,滿足大電流應用需求。這些特性使得NCE7560K在眾多功率MOSFET中脫穎而出,成為高效能應用的理想選擇。

 

NCE7560K憑借其出色的性能與特性,廣泛應用于多個關(guān)鍵領(lǐng)域。在功率開關(guān)應用中,它能夠?qū)崿F(xiàn)快速、高效的功率切換,確保設備在不同工作模式下的穩(wěn)定運行。對于硬開關(guān)和高頻電路,NCE7560K憑借低柵極電荷和快速開關(guān)特性,有效降低了開關(guān)損耗,提高了電路的工作效率與可靠性,使其成為高頻功率轉(zhuǎn)換設備的核心元件。此外,在不間斷電源(UPS)領(lǐng)域,NCE7560K的高電流承載能力和穩(wěn)定的性能表現(xiàn),為保障設備在突發(fā)停電情況下的持續(xù)供電提供了有力支持,確保關(guān)鍵設備的正常運行不受影響。

 

型號參數(shù)

 

漏源電壓(BVDSS):典型值84V,最大值75V

導通電阻(RDS(ON)):典型值6.8mΩ,最大值8.5mΩ

持續(xù)漏極電流(ID):60A

漏源電壓(VDS):75V

柵源電壓(VGS):±20V

持續(xù)漏極電流(ID):25℃時60A,100℃時42A

脈沖漏極電流(IDM):310A

峰值二極管恢復電壓(dv/dt):30V/ns

最大功耗(PD):140W

單脈沖雪崩能量(EAS):300mJ

工作結(jié)溫和存儲溫度范圍(TJ,TSTG):-55℃至175℃

 

盡管NCE7560K性能卓越,但在使用過程中仍需注意一些關(guān)鍵事項。首先,該產(chǎn)品并不適用于對可靠性要求極高的特殊應用領(lǐng)域,如生命支持系統(tǒng)、飛機控制系統(tǒng)等,這些領(lǐng)域?qū)υ骷目煽啃砸髽O高,一旦發(fā)生故障可能導致嚴重后果。其次,用戶在使用過程中應嚴格遵守產(chǎn)品規(guī)格書中列出的額定值,避免超出這些參數(shù)范圍運行,否則可能導致設備故障甚至損壞。此外,產(chǎn)品規(guī)格僅針對獨立狀態(tài)下的性能、特性和功能進行規(guī)定,并不能完全保證其在客戶產(chǎn)品或設備中的實際表現(xiàn)。因此,用戶在將NCE7560K安裝到具體設備后,應進行全面的評估與測試,以驗證其在實際工作環(huán)境中的性能與穩(wěn)定性。

 

綜上所述,NCE7560K作為一款高性能的N溝道增強型功率MOSFET,憑借其卓越的電氣特性、優(yōu)秀的熱性能、緊湊的封裝設計以及廣泛的應用適應性,無疑為現(xiàn)代電子設備的功率轉(zhuǎn)換與控制提供了一個理想的解決方案。無論是在工業(yè)自動化、通信設備、消費電子還是新能源領(lǐng)域,NCE7560K都能夠以其穩(wěn)定的性能和高效能表現(xiàn),助力設備實現(xiàn)更高的性能與更低的能耗,滿足日益增長的市場需求。