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新潔能NCE65T900I和NCE65T900K能夠滿足多種高電壓、大電流的應用場景需求
NCE65T900I和NCE65T900K是無錫新潔能推出的兩款N溝道MOSFET，它們采用了先進的溝槽柵超結技術，具備低導通電阻、低柵極電荷等優良特性，廣泛應用于AC-DC開關電源、功率因數校正（PFC）和工業電源等領域。
新潔能NCE65T900I和NCE65T900K系列器件通過先進工藝實現了卓越的導通電阻（RDS(ON)）與低柵極電荷的完美結合，其650V的漏源電壓（VDS）和5A的連續漏極電流（ID）使其能夠滿足多種高電壓、大電流的應用場景需求。同時，它們還具備小尺寸封裝、100%雪崩測試以及符合ROHS標準等優勢，為用戶提供了高性能、高可靠性的功率開關解決方案。
電氣特性
- 高耐壓與大電流：漏源電壓（VDS）高達650V，能夠承受較高的反向電壓，確保在高電壓應用中的穩定性和安全性。在25℃時，連續漏極電流（ID）可達5A，即使在100℃的高溫環境下，也能維持3A的連續漏極電流，滿足不同工作溫度下的電流需求。
- 低導通電阻：在VGS=10V、ID=2.5A的條件下，導通電阻（RDS(ON)）典型值僅為750mΩ，最大值為900mΩ。低導通電阻意味著在導通狀態下，器件的功耗更低，從而提高電源轉換效率，降低發熱，延長設備使用壽命。
- 低柵極電荷：總柵極電荷（Qg）在VDS=480V、ID=5A、VGS=10V的條件下，典型值為10.5nC，最大值為15nC。低柵極電荷使得驅動電路的設計更加簡單，驅動功耗更低，有助于提高開關頻率，實現更緊湊的電源設計。
- 快速開關特性：具有較短的開關時間，如開通延遲時間（td(on)）為7nS，開通上升時間（tr）為3nS，關斷延遲時間（td(off)）在52-62nS之間，關斷下降時間（tf）在10-16nS之間。快速的開關速度能夠有效降低開關損耗，提高電源的轉換效率，同時減少電磁干擾（EMI）。
- 良好的反向恢復特性：源-漏二極管的反向恢復時間（trr）為210nS，反向恢復電荷（Qrr）為0.66uC，峰值反向恢復電流（Irrm）為6.5A。這些特性使得在高頻開關應用中，器件能夠快速從導通狀態切換到截止狀態，減少能量損耗和電壓尖峰。
熱特性
- 低熱阻：熱阻（RthJC）從結到外殼的最大值為2.72°C/W，熱阻（RthJA）從結到環境的最大值為75°C/W。低熱阻意味著在工作過程中，器件能夠更有效地將熱量散發到周圍環境中，從而降低結溫，提高器件的可靠性和穩定性，延長使用壽命。
封裝信息
- TO-251封裝：適用于NCE65T900I型號，具有較小的尺寸和良好的散熱性能，適合在緊湊的空間內實現高性能的功率轉換。
- TO-252封裝：適用于NCE65T900K型號，同樣具備小尺寸和高散熱效率的特點，為用戶提供了更多的選擇，以滿足不同的應用需求。
應用領域
- 功率因數校正（PFC）：在AC-DC電源轉換過程中，用于提高功率因數，減少諧波失真，提高電源的效率和穩定性，滿足日益嚴格的能效標準。
- 開關模式電源（SMPS）：作為開關電源的核心元件，實現高效的電能轉換，廣泛應用于各種電子設備的電源模塊中，如計算機電源、通信電源、工業電源等。
- 不間斷電源（UPS）：在UPS系統中，用于實現電池充電和逆變輸出等功能，確保在市電中斷時能夠快速切換到電池供電，為關鍵設備提供穩定的電力支持。
NCE65T900I和NCE65T900K憑借其卓越的電氣性能、低熱阻、小尺寸封裝以及良好的安全與合規性，成為了高電壓、大電流功率轉換應用的理想選擇。它們能夠有效提高電源轉換效率，降低功耗和發熱，為各種電子設備提供穩定可靠的電力支持，助力電源技術的發展和創新。
